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NTD4909N: Power MOSFET 30V 41A 8 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: 30 V, 41 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 3 (112kB)
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»製品変更通知 (5)
Product Overview
製品説明
30 V, 41 A, Single N Channel, DPAK/IPAK
特長   利点
     
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
 
  • Improve System Efficiency
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • These are PbFree Devices
 
  • RoHs Compliance
アプリケーション   最終製品
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
 
  • Desktop PC, Game Consoles, other Computing Products
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (2) データシート (1)
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (3)
シミュレーション・モデル (4) 評価ボード文書 (9)
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4909N-1G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 41A 8 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4909N-35G Lifetime
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 41A 8 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75 $0.1733
NTD4909NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 41A 8 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.1733
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : <1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : <1K
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: 30 V, 41 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 3 (112kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (5)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 41A 8 mOhm Single N-Channel DPAK    N-Channel   Single   30   20   2.2   41   29.4     12   8   7.6   17.5   1.3   20   1314   487   17.4   DPAK-3 
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NDBA180N10B  NDPL180N10B  100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(2.8 mΩ)
  • 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応

NDBA100N10B  NDPL100N10B  100 V, 100 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(6.9 mΩ)
  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応