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NTD4913N: Power MOSFET 30V 32A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK

Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 32 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 2 (111kB)
Product Overview
»材料組成を表示
»製品変更通知 (5)
Power MOSFET, 30 V, 32 A, Single N Channel, DPAK/IPAK
特長   利点
     
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
 
  • Improve System Efficiency
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
 
  • Improve Switching Performance
  • These are PbFree Devices
 
  • RoHs Compliance
アプリケーション   最終製品
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
 
  • Desktop PC, Game Console, and other Computing Products
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4913N-1G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 32A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4913N-35G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 32A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75  
NTD4913NT4G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 32A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
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  • 10.4 mΩ または 13 mΩ の低オン抵抗
  • -55 A から -80 A までの高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施

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  • 最小6.5 mΩの低オン抵抗
  • -120 A の高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施