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NTD4970N: Power MOSFET 30V 36A 11 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 36 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 1 (107kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (4)
Power MOSFET, 30 V, 36 A, Single N Channel, DPAK/IPAK
特長   利点
     
  • Optimized Qg and Rg
 
  • Improve Signal Quality and Minimize Switching Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Loss
  • Low RDS(on)
 
  • Improve Efficiency
  • PbFree, Halogen Free/BFR Free
 
  • RoHS Compliant
アプリケーション   最終製品
  • High Side Synchronous DC-DC Converters
 
  • PC and Game Console
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2016-12-04) : 1
Avnet (2016-12-04) : 1
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD4970N-1G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 36A 11 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4970N-35G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 36A 11 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75 $0.3067
NTD4970NT4G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 36A 11 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
ON Semiconductor   (2016-12-03) : 19,575
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 36 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 1 (107kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (4)

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 36A 11 mOhm Single N-Channel DPAK 
N-Channel
Single
30
20
2.5
36
24.6
 
21
11
8.2
15.8
4
7
774
306
161
IPAK-3
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  • 最小6.5 mΩの低オン抵抗
  • -120 A の高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施

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  • 10.4 mΩ または 13 mΩ の低オン抵抗
  • -55 A から -80 A までの高電流対応
  • 過電圧動作への対応として100%アバランシェテスト実施

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5 Vgs MOSFET Evaluation Board - ONS321A5VGEVB

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