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NTD5802N: Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 40 V, Single N-Channel, 101 A DPAK
Rev. 7 (101kB)
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Product Overview
製品説明
Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK
特長   利点
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimizes Driver Losses
  • Optimized Gate Charge
 
  • Minimizes Switching Losses
  • MSL 1/260C
   
  • AEC Q101 Qualified
   
  • 100% Avalanche Tested
   
  • PbFree Devices
   
  • DCDC Converters
   
  • Motor Driver
   
アプリケーション
  • CPU Power Delivery
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD5802NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.712
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Arrow   (Sat Jul 11 14:01:34 MST 2015) : 6850
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 40 V, Single N-Channel, 101 A DPAK
Rev. 7 (101kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   40   20   3.5   101   93.75     7.8   4.4     75   15   15   5300   850   550   DPAK-3 
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