feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTD5806N: Power MOSFET 40V 33A 19 mOhm Single N-Channel DPAK

Datasheet: Power MOSFET, 40 V, 33 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 7 (79kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (6)
Product Overview
製品説明
40V, 33A, 19 mOhm RDS(on), Single N-Channel, DPAK, Power MOSFET
特長
 
  • Low RDS(on)
  • High Current Capability
  • Avalanche Energy Specified
  • Pb-Free
アプリケーション
  • CCFL Backlight
  • DC Motor Control
  • Power Supply Secondary Side Synchronous Rectification
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTD5806NT4G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 33A 19 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2016-09-24 00:00) : 8,481
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

  • 2.5 V drive and common drain suitable for 1-2 cell lithium-ion battery protection
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures