NTD60N02R: Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET 62 A, 25 V, N-Channel DPAK
Rev. 12 (79.0kB)
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製品の説明
Power MOSFET 62 Amps, 25 Volts, N-channel, DPAK
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
  • Low Ciss to Minimize Driver Loss
  • Low Gate Charge
  • Optimized for High Side Switching Requirements in High Efficiency DC-DC Converters
  • Pb-Free Packages are Available
技術情報
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (2)
データシート (1)  
供給状況およびサンプル
製品
ステータス
鉛フリー
内容
パッケージ
MSL*
コンテナ
予算価格/ユニット
タイプ
ピン
ケース形状
タイプ
数量
NTD60N02R-1G
Active Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel IPAK DPAK−3 (SINGLE GAUGE) 4 369D Rail 75 $0.216
サンプル
在庫
NTD60N02RG
Last Shipments Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount 4 369AA 1 Rail 75  
ロチェスター
営業所に問い合わせる
NTD60N02RT4G
Active Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount 4 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.216
サンプル
在庫
NTD60N02RT4
Last Shipments Power MOSFET 25V 62A 10.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount 4 369AA 1 Tape and Reel 2500  
ロチェスター
営業所に問い合わせる
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
VGS Max (V) : 20
Qg Typ (nC) : 9.5
Channel Polarity : N Channel
Configuration : Single
rDS(on) Max (mΩ) : 10.5
PD Max (W) : 58
ID Max (A) : 62
Package : DPAK−3 (SINGLE GAUGE)
V(BR)DSS Min (V) : 25
マーケットリードタイム(週) : 12+
Future Electronics (2010-02-08) : In Stock
P&S (2010-02-08) : >1K
VGS Max (V) : 20
Qg Typ (nC) : 9.5
Channel Polarity : N Channel
Configuration : Single
rDS(on) Max (mΩ) : 10.5
PD Max (W) : 58
ID Max (A) : 62
Package : DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount
V(BR)DSS Min (V) : 25
マーケットリードタイム(週) : 12+
ON Semiconductor (2010-02-06) : 4125
VGS Max (V) : 20
Qg Typ (nC) : 9.5
Channel Polarity : N Channel
Configuration : Single
rDS(on) Max (mΩ) : 10.5
PD Max (W) : 58
ID Max (A) : 62
Package : DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount
V(BR)DSS Min (V) : 25
マーケットリードタイム(週) : 12+
Digi-Key (2010-02-08) : <100
P&S (2010-02-08) : >1K
VGS Max (V) : 20
Qg Typ (nC) : 9.5
Channel Polarity : N Channel
Configuration : Single
rDS(on) Max (mΩ) : 10.5
PD Max (W) : 58
ID Max (A) : 62
Package : DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount
V(BR)DSS Min (V) : 25
マーケットリードタイム(週) : 12+
電気的仕様を選択してください

完全な電気的仕様については、を参照してください データシート.

シンボル 境界 単位 条件
V(BR)DSS min 25
V VGS = 0V, ID = 0.25mA
VGS max 20
V
rDS(on) max 10.5
VGS = 10V, ID = 20A
Qg typ 9.5
nC VGS=4.5 VDC, VDS=10 VDC, ID=31 ADC
ID max 62
A TC = 25°C
PD max 58
W TC = 25°C
Polarity N Channel

Configuration Single

For complete packaging information, see the datasheet
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ケース形状
369AA    369D   
パッケージ
For complete product information, see the datasheet
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  • 業界をリードする最大500 mJのアバランシェ定格
  • 最大電流定格は17~76A
  • DPAK、D2PAK、およびTO-220パッケージ

NTD4960N  NTD4963N  30 V NチャネルMOSFET

  • 最小8 mΩのRDS(on)
  • 最小9 nCのゲート電荷
  • DPAKおよびIPAKパッケージ