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NTHC5513: Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET 20 V, +3.9 A/-3.0 A, Complentary ChipFET™
Rev. 4 (80.0kB)
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Product Overview
製品説明
This complementary (N and P Channel) device was designed with a small footprint package and ON Semiconductor's leading low RDS(on) technology for increased circuit efficiency. The performance is ideally suited for portable or handheld applications.
特長
 
  • Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package
  • Leadless SMD Package Featuring Complementary Pair
  • ChipFET™ Package Provides Great Thermal Characteristics Similar to Larger Packages
  • Low RDS(on) in a ChipFET™ Package for High Efficiency Performance
  • Low Profile (< 1.1 mm) Allows Placement in Extremely Thin Environments such as Portable Electronics
  • Complentary N Channel and P Channel MOSFET
アプリケーション
  • Load Switch Applications Requiring Level Shift
  • DC-DC Conversion Circuits
  • Drives Small Brushless DC Motors
  • Designed for Power Management Applications in Portable and Battery Power Products
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTHC5513T1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.1733
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET 20 V, +3.9 A/-3.0 A, Complentary ChipFET™
Rev. 4 (80.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET   Complementary   Dual   20   12   1.2   3.9   2.1   115   80     4     0.7   6   180   80   25   ChipFET-8 
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