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NTHD3102C: Power MOSFET 20V 5.5A 45 mOhm Complementary ChipFET

Overview
Specifications
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Datasheet: Power MOSFET Complementary, 20 V +5.5 A/-4.2 A, ChipFET¿
Rev. 2 (95.0kB)
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Product Overview
製品説明
Power MOSFET Complementary, 20 V +5.5 A/-4.2 A, ChipFET™
特長
 
  • Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET
  • Small Size, 40% Smaller than a TSOP-6 Package
  • Leadless, SMD Package provides Great Thermal Characteristics
  • Leading Trench Technology for Low On Resistance
  • Reduced Gate Charge to Improve Switching Response
  • Pb-Free Package is Available
アプリケーション
  • DC-DC Conversion Circuits
  • Load/Power Switching
  • Single or Dual Cell Li-Ion Battery Supplied Devices
  • Ideal for Power Management Applications in Portable, Battery Powered Products
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTHD3102CT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V 5.5A 45 mOhm Complementary ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.22
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : <1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET Complementary, 20 V +5.5 A/-4.2 A, ChipFET¿
Rev. 2 (95.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V 5.5A 45 mOhm Complementary ChipFET   Complementary   Dual   20   8   1.2   5.5   2.1   50   45     7.9     1.56   7   510   100   50   ChipFET-8 
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