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NTHD4102P: Power MOSFET -20V -4.1A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -4.1 A Dual P-Channel ChipFET¿
Rev. 6 (100.0kB)
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»製品変更通知 (12)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET -20 V, -4.1 A Dual P-Channel ChipFET™
特長
 
  • Offers an Ultra Low RDS (ON) Solution in the ChipFET™ Package
  • Miniature ChipFet Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6
  • Low Profile (<1.1mm) Allows it to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics
  • Simplifies Circuit Designs since Additional Boost Circuits for Gate Voltages are not Required
  • Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future Migration to Lower Levels using the same Basic Topology
  • Pb-Free Package is Available
アプリケーション
  • Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment such as MP3 Players, Cell Phones, and PDAs
  • Charge Control in Battery Chargers
  • Buck and Boost Converters
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (2) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTHD4102PT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.1A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.3333
NTHD4102PT3G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.1A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 10000  
NTHD4102PT1 Obsolete 
Power MOSFET -20V -4.1A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >10K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -4.1 A Dual P-Channel ChipFET¿
Rev. 6 (100.0kB)
»信頼性データを表示する
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»製品変更通知 (12)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -4.1A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET   P-Channel   Dual   20   8   1.5   4.1   2.1   110   80     8.6     2.6   0.01   750   100   45   ChipFET-8 
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