feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTHS5441T1: Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -5.3 A, Single P-Channel ChipFET™
Rev. 13 (66.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (10)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET -20 V, -5.3 A, Single P-Channel ChipFET™
特長
 
  • Low RDS(on)
  • Higher Efficiency Extending Battery Life
  • Logic Level Gate Drive
  • Miniature ChipFET Surface Mount Package
アプリケーション
  • Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (2) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTHS5441T1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.18
NTHS5441T1 Obsolete 
Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -5.3 A, Single P-Channel ChipFET™
Rev. 13 (66.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (10)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET   P-Channel   Single   20   12   1.2   5.3   2.5   83         9.7   3.6     710   400   140   ChipFET-8 
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(2.8 mΩ)
  • 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応

NDBA100N10B  NDPL100N10B  100 V, 100 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(6.9 mΩ)
  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応