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NTJS4151P: Power MOSFET -20V -4.2A 60 mOhm Single P-Channel SC−88

Overview
Specifications
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Datasheet: Trench Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88
Rev. 3 (115kB)
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Product Overview
製品説明
Trench Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88
特長
 
  • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
  • SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Board Utilization, same as SC-70-6
  • Gate Diodes for ESD Protetion
  • Pb-Free Package is Available
アプリケーション
  • High Side Load Switch
  • Cell Phones, Computing, Digital Cameras, MP3s and PDAs
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTJS4151PT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.2A 60 mOhm Single P-Channel SC−88 SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.0867
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Chip1Stop   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
PandS   (2015-07-09) : >10K
Datasheet: Trench Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88
Rev. 3 (115kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -4.2A 60 mOhm Single P-Channel SC−88   P-Channel   Single   20   12   1.2   4.2   1   70   47     10     2.8   0.23   850   160   110   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
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