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NTLJF3117P: Power MOSFET -20V -4.1A 100 mOhm Single P-Channel WDFN-6 FETky

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode, -20 V, -4.1 A, P-Channel
Rev. 2 (112.0kB)
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»製品変更通知 (9)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET and Schottky Diode, -20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, µCool™ Product Family
特長
 
  • FETKY™ Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode
  • µCool™ Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction
  • 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package Design
  • Indepedent Pinout Provides Circuit Design Flexibility
  • Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environment
  • High Current Schottky Diode: 2 A Current Rating
  • This is a Pb-Free Device
アプリケーション   最終製品
  • Optimized for Portable Applications like Cell Phones, Digital Cameras, Media Players, etc.
  • DC-DC Buck Circuit
  • Li-Ion Battery Applications
  • Color Display and Camera Flash Regulators
 
  • Media Players
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (3) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTLJF3117PT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.1A 100 mOhm Single P-Channel WDFN-6 FETky WDFN-6 506AN 1 Tape and Reel 3000 $0.1455
NTLJF3117PTAG Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.1A 100 mOhm Single P-Channel WDFN-6 FETky WDFN-6 506AN 1 Tape and Reel 3000  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode, -20 V, -4.1 A, P-Channel
Rev. 2 (112.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -4.1A 100 mOhm Single P-Channel WDFN-6 FETky   P-Channel   with Schottky Diode   20   8   1   4.1   2.3   135   100     5.5       5.7   531   91   56   WDFN-6 
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