feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTLJS3A18PZ: Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel WDFN6 with ESD Protection

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, -20 V, -8.2 A, uCool, Single P-Channel, 2.0x2.0x0.8 mm WDFN Package
Rev. 0 (128.0kB)
»材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
製品説明
Power MOSFET, -20 V, -8.2 A, uCool, Single P-Channel, 2.0x2.0x0.8 mm WDFN Package
特長   利点
     
  • WDFN Package with Exposed Drain Pads
 
  • Excellent Thermal
    Conduction
  • Low Profile WDFN (2.0x2.0x0.8 mm)
 
  • Board Space Saving
  • Ultra Low RDS(on)
 
  • Improve System Efficiency
  • ESD Diode Protected Gate
   
アプリケーション   最終製品
  • Optimized for Power Management Applications for Portable
    Products, such as Smart Phones, Media Tablets, PMP, DSC, GPS, and
    Others
  • Battery Switch
  • High Side Load Switch
 
  • Portable
    Products, such as Smart Phones, Media Tablets, PMP, DSC, GPS, and
    Others
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (2) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTLJS3A18PZTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel WDFN6 with ESD Protection WDFN-6 506AP 1 Tape and Reel 10000 $0.3333
NTLJS3A18PZTXG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel WDFN6 with ESD Protection WDFN-6 506AP 1 Tape and Reel 10000 $0.3333
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, -20 V, -8.2 A, uCool, Single P-Channel, 2.0x2.0x0.8 mm WDFN Package
Rev. 0 (128.0kB)
»材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel WDFN6 with ESD Protection   P-Channel   Single   20   8   1   8.4   3.4   25   18     28     8.8   12   2240   240   210   WDFN-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel WDFN6 with ESD Protection   P-Channel   Single   20   8   1   8.4   3.4   25   18     28     8.8   12   2240   240   210   WDFN-6 
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  100 V, 100 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(6.9 mΩ)
  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応

NTP8G202N  600 V, 290 mΩ, 単一Nチャネル, パワーGaN カスコードトランジスタ

  • 高速スイッチング
  • 超低 Qrr
  • 高効率