feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTLUS3A18PZ: Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, -20 V, -8.2 A, Single Pch, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm, uCool, UDFN Package
Rev. 3 (147.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET, -20 V, -8.2 A, Single Pch, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm, uCool, UDFN Package
特長   利点
     
  • UDFN Package with Exposed Drain Pads
 
  • Excellent Thermal Conduction
  • Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm
 
  • Board Space Saving
  • Ultra Low RDS(on)
 
  • Improve System Efficiency
  • PbFree, Halogen Free/BFR Free
 
  • RoHS Compliant
  • ESD DiodeProtected Gate
   
アプリケーション   最終製品
  • Optimized for Power Management Applications for Portable
    Products, such as Cell Phones, Media Tablets, PMP, DSC, GPS, and
    Others
  • Battery Switch
  • High Side Load Switch
 
  • Portable Products such as Cell Phones, Media Tablets, PMP, DSC, GPS, and Others
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTLUS3A18PZTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517BG 1 Tape and Reel 3000 $0.2
NTLUS3A18PZTBG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517BG 1 Tape and Reel 3000 $0.2
NTLUS3A18PZTCG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517BG 1 Tape and Reel 3000 $0.24
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Datasheet: Power MOSFET, -20 V, -8.2 A, Single Pch, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm, uCool, UDFN Package
Rev. 3 (147.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection   P-Channel   Single   -20   8   -1   -8.2   1.7   28   18         8.8   12   2240   240   210   UDFN-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection   P-Channel   Single   -20   8   -1   -8.2   1.7   28   18         8.8   12   2240   240   210   UDFN-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection   P-Channel                                   UDFN-6 
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NTP8G206N  600 V, 150 mΩ, 単一Nチャネル, パワー GaN カスコードトランジスタ

  • 高速スイッチング
  • 超低 Qrr
  • 高効率

NTP8G202N  600 V, 290 mΩ, 単一Nチャネル, パワーGaN カスコードトランジスタ

  • 高速スイッチング
  • 超低 Qrr
  • 高効率