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NTMD3P03: Power MOSFET -30V -3.05A 85 mOhm Dual P-Channel SO-8

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts
Rev. 4 (110.0kB)
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»製品変更通知 (6)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts
特長
 
  • High Efficiency Components in a Dual SO-8 Package
  • High Density Power MOSFET with Low RDS(on)
  • Miniature SO-8 Surface Mount Package -- Saves Board Space
  • Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery
  • IDSS Specified at Elevated Temperature
  • Avalanche Energy Specified
  • Mounting Information for the SO-8 Package is Provided
  • Pb-Free Packages are Available
アプリケーション
  • DC-DC Converters
  • Low Voltage Motor Control
  • Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.:
    Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular & Cordless Telephones
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMD3P03R2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -30V -3.05A 85 mOhm Dual P-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.6
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Chip1Stop   (2016-05-26 00:00) : >1K
Digikey   (2016-05-26 00:00) : >1K
Mouser   (2016-05-26 00:00) : >1K
PandS   (2016-05-26 00:00) : >1K
Datasheet: Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts
Rev. 4 (110.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -30V -3.05A 85 mOhm Dual P-Channel SO-8 
P-Channel
Dual
30
20
2.5
3.05
1.25
 
125
85
 
16
4.5
0.03
520
170
70
SOIC-8
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