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NTMD4840N: Power MOSFET 30V 7.5A 24 mOhm Dual N-Channel SO-8

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 7.5 A, Dual N-Channel
Rev. 1 (135.0kB)
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»製品変更通知 (3)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 30 V, 7 A, Dual N-Channel, SOIC-8
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • Dual SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space
  • This is a Pb-Free Device
アプリケーション
  • Disk Drives
  • DC-DC Converters
  • Printers
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMD4840NR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 7.5A 24 mOhm Dual N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.2133
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Digikey   (2016-09-25 00:00) : >1K
Mouser   (2016-09-25 00:00) : >1K
PandS   (2016-09-25 00:00) : <1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 7.5 A, Dual N-Channel
Rev. 1 (135.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 7.5A 24 mOhm Dual N-Channel SO-8 
N-Channel
Dual
30
20
3
7.5
1.95
 
36
24
4.8
 
1.9
6
520
140
70
SOIC-8
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  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures

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  • ESD Diode-Protected Gate
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