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NTMD4N03: Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts, N-Channel SO8 Dual
Rev. 4 (120.0kB)
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»製品変更通知 (6)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts, N-Channel SO8 Dual
特長
 
  • Designed for use in low voltage, high speed switching applications
  • Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
  • - RDS(on) = 0.048 Ω, VGS = 10V (Typ)
  • - RDS(on) = 0.065 Ω, VGS = 4.5V (Typ)
  • Miniature SO-8 Surface Mount Package - Saves Board Space
  • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
  • Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery
  • Pb-Free Package is Available
アプリケーション
  • Dc-Dc Converters, Computers, Printers, Cellular Phones, Cordless Phones, Disk Drives, and Tape Drives
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMD4N03R2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.308
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Arrow   (2016-06-27 09:39) : 2053
Digikey   (2016-06-26 00:00) : >10K
Mouser   (2016-06-26 00:00) : >10K
PandS   (2016-06-26 00:00) : >1K
Datasheet: Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts, N-Channel SO8 Dual
Rev. 4 (120.0kB)
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»製品変更通知 (6)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 4A 60 mOhm Dual N-Channel S0-8 
N-Channel
Dual
30
20
3
4
2
 
80
60
 
8
 
0.008
285
95
35
SOIC-8
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