feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTMD6N04: Power MOSFET 40V 4.6A 34 mOhm Dual N-Channel SO-8

Datasheet: NTMD6N04R2G 40V, 6.0A, Dual N-Channel SOIC-8
Rev. 2 (99.0kB)
Product Overview
»材料組成を表示
»製品変更通知 (7)
NTMD6N04R2G 40V, 6.0A, Dual N-Channel SOIC-8
特長   利点
     
  • Designed for use in Low Voltage High Speed switching applications.
 
  • Fast Switching
  • Low RDS(on)
 
  • Extends Battery Life
  • SOIC-8 Surface Mount Package
 
  • Saves board space
アプリケーション
  • DC-DC Converter
  • Computers
  • Printers
  • Buck-Boost Circuit
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMD6N04R2G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 4.6A 34 mOhm Dual N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2017-02-16) : >1K
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品

NVATS68301PZ  P-Channel Power MOSFET for Automotive, -100 V

  • Low on-resistance of 75 mΩ
  • High current capabilities of -31 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures