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NTMFD4902NF: Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 23 A, Dual N-Channel SO8FL

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET and Integrated Schottky Diode, 30 V, Dual N-Channel
Rev. 4 (104kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 23 A, Dual N-Channel SO8FL
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
アプリケーション ノート (2) パッケージ図 (1)
シミュレーション・モデル (2) 評価ボード文書 (8)
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
DUALASYMA5VGEVB Active
Pb-free
Single Phase Buck Converter Dual Asymmetrical AG Evaluation Board
DUALASYMB12VGEVB Active
Pb-free
Single Phase Buck Converter Dual Asymmetrical BG Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 1
Avnet (2015-07-09) : 2
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFD4902NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 23 A, Dual N-Channel SO8FL SO-8FL Dual / DFN-8 506BX 1 Tape and Reel 1500 $0.6966
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 13 to 16
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET and Integrated Schottky Diode, 30 V, Dual N-Channel
Rev. 4 (104kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 23 A, Dual N-Channel SO8FL   N-Channel   Dual   30   20   2.2   18.2   3.45     10   6.5   9.7   19.1       1150   360   105   SO-8FL Dual / DFN-8 
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  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
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