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NTMFS4852N: Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: NTMFS4852N
Rev. 1 (137.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
Product Overview
製品説明
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
特長   利点
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimizes conduction losses
  • Low capacitance
 
  • Minimizes driver losses
  • Optimized gate charge
 
  • Minimizes switching losses
アプリケーション
  • CPU power delivery
  • DC-DC converters
  • Low-side switching
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
アプリケーション ノート (2) パッケージ図 (1)
シミュレーション・モデル (4)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS4852NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.5733
NTMFS4852NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.5733
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : <1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: NTMFS4852N
Rev. 1 (137.0kB)
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»製品変更通知 (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.5   155   86.2     3.3   2.1   34.3   71.3   11.3   28.6   4970   970   427   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.5   155   86.2     3.3   2.1   34.3   71.3   11.3   28.6   4970   970   427   SO-8FL / DFN-5 
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