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NTMFS4C03N: Power MOSFET 30V 136A 2.1 mOhm Single N−Channel SO−8FL

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET
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Product Overview
製品説明
Power MOSFET 30V 136A 2.1 mOhm Single N−Channel SO−8FL
特長
 
  • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1) ビデオ (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS4C03NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 136A 2.1 mOhm Single N−Channel SO−8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.3467
NTMFS4C03NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 136A 2.1 mOhm Single N−Channel SO−8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.3467
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-07-27 04:10) : 96
Digikey   (2016-07-26 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 136A 2.1 mOhm Single N−Channel SO−8FL 
N-Channel
Single
30
20
2.2
136
64
 
2.8
2.1
20.8
45.2
4.7
39
3071
1673
67
SO-8FL / DFN-5
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 136A 2.1 mOhm Single N−Channel SO−8FL 
N-Channel
Single
30
20
2.2
136
64
 
2.8
2.1
20.8
45.2
4.7
39
3071
1673
67
SO-8FL / DFN-5
Datasheet: Power MOSFET
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Product Overview
Case Outline
488AA   
Datasheet: Power MOSFET
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EFC4C002NL  30 V Power MOSFET for 3-Cell Lithium-ion Battery Protection

  • Ultra Low On-Resistance of 2.6 mΩ for improved efficiency
  • Gate Charge of 45 nC enables fast startup
  • Small WLCSP package for space constrained designs

NVC3S5A51PLZ  Power MOSFET, -60 V, -1.8 A, P-Channel

  • Low on-resistance of 250 mΩ to minimize conduction losses
  • Small package to minimize the board space
  • High ESD protection with embedded protection diode