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NTMFS4C08N: Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: 30 V, 52 A, Single N-Channel, SO-8 FL Power MOSFET
Rev. 5 (95kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
Product Overview
製品説明
NTMFS4C08N
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
    Compliant
アプリケーション
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (2) データシート (1)
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (1)
シミュレーション・モデル (4) 評価ボード文書 (9)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS4C08NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.232
NTMFS4C08NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.232
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: 30 V, 52 A, Single N-Channel, SO-8 FL Power MOSFET
Rev. 5 (95kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.1   52   25.5     8.5   5.8     18.2   3.3   15.3   1113   702   39   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.1   52   25.5     8.5   5.8     18.2   3.3   15.3   1113   702   39   SO-8FL / DFN-5 
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