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NTMFS4H01N: Power MOSFET 25V 334A 0.7mOhm Single N−Channel SO−8FL FETky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 1 (85kB)
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Product Overview
製品説明
Power MOSFET 25V 334A 0.7mOhm Single N−Channel SO−8FL FETky
特長   利点
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low input capacitance
 
  • Minimize switching losses
アプリケーション   最終製品
  • High Performance DC-DC Converters
  • Point of Load
 
  • Netcom, Telecom
  • Servers
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) パッケージ図 (1)
シミュレーション・モデル (4) ビデオ (1)
データシート (1) 評価ボード文書 (5)
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
25VT6A5VGEVB Intro Pending
Pb-free
T6 25V Power MOSFET Evaluation Board
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS4H01NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 334A 0.7mOhm Single N−Channel SO−8FL FETky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $2.25
NTMFS4H01NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 334A 0.7mOhm Single N−Channel SO−8FL FETky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $2.25
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 1 (85kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 25V 334A 0.7mOhm Single N−Channel SO−8FL FETky 
N-Channel
Single
25
20
2.1
334
125
 
0.97
0.7
39
 
8.5
 
5693
3718
212
SO-8FL / DFN-5
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 25V 334A 0.7mOhm Single N−Channel SO−8FL FETky 
N-Channel
Single
25
20
2.1
334
125
 
0.97
0.7
39
 
8.5
 
5693
3718
212
SO-8FL / DFN-5
Datasheet: Power MOSFET
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488AA   
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