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NTMFS4H02NF: Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 25 V, 193 A, SO-8FL
Rev. 3 (91kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky
特長   利点
     
  • Integrated Schottky Diode
 
  • Higher efficiency
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low input capacitance
 
  • Minimize switching losses
アプリケーション   最終製品
  • High Performance DC-DC Converters
  • Point of Load
 
  • Netcom, Telecom
  • Server
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) パッケージ図 (1)
シミュレーション・モデル (4) ビデオ (1)
データシート (1) 評価ボード文書 (5)
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
25VT6A5VGEVB Intro Pending
Pb-free
T6 25V Power MOSFET Evaluation Board
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS4H02NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $1.45
NTMFS4H02NFT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $1.45
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
ON Semiconductor   (2016-09-28 00:00) : 5,000
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 25 V, 193 A, SO-8FL
Rev. 3 (91kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky 
N-Channel
with Schottky Diode
25
20
2.1
193
83
 
2.3
1.4
18.7
 
4.3
 
2652
1644
94
SO-8FL / DFN-5
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky 
N-Channel
with Schottky Diode
25
20
2.1
193
83
 
2.3
1.4
18.7
 
4.3
 
2652
1644
94
SO-8FL / DFN-5
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  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures

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