feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTMFS4H02NF: Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 25 V, 193 A, SO-8FL
Rev. 3 (91kB)
»材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky
特長   利点
     
  • Integrated Schottky Diode
 
  • Higher efficiency
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low input capacitance
 
  • Minimize switching losses
アプリケーション   最終製品
  • High Performance DC-DC Converters
  • Point of Load
 
  • Netcom, Telecom
  • Server
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) パッケージ図 (1)
シミュレーション・モデル (4) 評価ボード文書 (5)
データシート (1)  
評価/開発ツール情報
製品 状態 Compliance 簡単な説明 アクション
25VT6A5VGEVB Intro Pending
Pb-free
T6 25V Power MOSFET Evaluation Board
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS4H02NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $1.45
NTMFS4H02NFT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $1.45
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 25 V, 193 A, SO-8FL
Rev. 3 (91kB)
»材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky   N-Channel   with Schottky Diode   25   20   2.1   193   83     2.3   1.4   18.7     4.3     2652   1644   94   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky   N-Channel   with Schottky Diode   25   20   2.1   193   83     2.3   1.4   18.7     4.3     2652   1644   94   SO-8FL / DFN-5 
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 25 V, 193 A, SO-8FL
Rev. 3 (91kB)
»材料組成を表示
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Case Outline
488AA   
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(2.8 mΩ)
  • 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応

NDBA100N10B  NDPL100N10B  100 V, 100 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(6.9 mΩ)
  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応