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NTMFS5C404NL: Power MOSFET 40V 342A 0.75 mOhm Single N−Channel SO-8FL Logic Level

Overview
Specifications
Datasheet: Single N-Channel Power MOSFET, 40 V, 0.75 mOhm, 339 A
Rev. 4 (75kB)
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»No Product Change Notifications exist
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 40V 342A 0.75 mOhm Single N−Channel SO-8FL Logic Level
特長   利点
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low input capacitance
 
  • Minimize switching losses
アプリケーション   最終製品
  • Point of Load Modules
  • High Performance DC-DC Converters
  • Secondary Syn. Rectification
  • DC Motor Drive
 
  • Netcom, Telecom
  • Server
  • Handheld power tools
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS5C404NLT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 342A 0.75 mOhm Single N−Channel SO-8FL Logic Level SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $1.6
NTMFS5C404NLT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 342A 0.75 mOhm Single N−Channel SO-8FL Logic Level SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $1.6
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 17 to 20
マーケットリードタイム(週) : 17 to 20
Datasheet: Single N-Channel Power MOSFET, 40 V, 0.75 mOhm, 339 A
Rev. 4 (75kB)
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»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 40V 342A 0.75 mOhm Single N−Channel SO-8FL Logic Level 
N-Channel
Single
40
±20
2
342
167
 
1
0.75
81
190
23.8
 
11500
4600
110
SO-8FL / DFN-5
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 40V 342A 0.75 mOhm Single N−Channel SO-8FL Logic Level 
N-Channel
Single
40
±20
2
342
167
 
1
0.75
81
190
23.8
 
11500
4600
110
SO-8FL / DFN-5
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EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

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  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption

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  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures