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NTMFS6B03N: Power MOSFET 100V 132A 4.8mΩ Single N−Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: Single N-Channel Power MOSFET, 100 V, 4.8 mOhm, 132 A
Rev. 1 (76kB)
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Product Overview
製品説明
Power MOSFET 100V 132A 4.8mΩ Single N−Channel SO-8FL
特長   利点
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low input capacitance
 
  • Minimize switching losses
アプリケーション   最終製品
  • Point of load modules
 
  • Netcom, Telecom
  • Server
技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMFS6B03NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 100V 132A 4.8mΩ Single N−Channel SO-8FL, Power MOSFET 100 V, 4.8 mΩ, 132 A, Single N−Channel SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $2.0851
NTMFS6B03NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 100V 132A 4.8mΩ Single N−Channel SO-8FL, Power MOSFET 100 V, 4.8 mΩ, 132 A, Single N−Channel SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $2.0851
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Single N-Channel Power MOSFET, 100 V, 4.8 mOhm, 132 A
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 100V 132A 4.8mΩ Single N−Channel SO-8FL, Power MOSFET 100 V, 4.8 mΩ, 132 A, Single N−Channel   N-Channel   Single   100   ±20   4   132   165       4.8     58     120   4200   760   31   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 100V 132A 4.8mΩ Single N−Channel SO-8FL, Power MOSFET 100 V, 4.8 mΩ, 132 A, Single N−Channel   N-Channel   Single   100   ±20   4   132   165       4.8     58     120   4200   760   31   SO-8FL / DFN-5 
Datasheet: Single N-Channel Power MOSFET, 100 V, 4.8 mOhm, 132 A
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Case Outline
488AA   
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NTP8G206N  600 V, 150 mΩ, 単一Nチャネル, パワー GaN カスコードトランジスタ

  • 高速スイッチング
  • 超低 Qrr
  • 高効率

NDBA180N10B  NDPL180N10B  100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(2.8 mΩ)
  • 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応