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NTMS4177P: Power MOSFET -30V -11.4A 19 mOhm Single P-Channel SO-8

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET -30 V, -11.4 A, P-Channel, SOIC-8
Rev. 0 (86.0kB)
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Product Overview
製品説明
This is a 30 V P-Channel Power MOSFET.
特長   利点
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge
 
  • Minimize Switching Losses
  • SOIC-8 Surface Mount Package
 
  • Saves Board Space
  • This is a Pb-Free Device
   
アプリケーション   最終製品
  • Load Switches
 
  • Notebook PCs
  • Desktop PCs
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMS4177PR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -30V -11.4A 19 mOhm Single P-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.2533
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
PandS   (2016-09-29 00:00) : >1K
Datasheet: Power MOSFET -30 V, -11.4 A, P-Channel, SOIC-8
Rev. 0 (86.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -30V -11.4A 19 mOhm Single P-Channel SO-8 
P-Channel
Single
30
20
2.5
11.4
2.5
 
19
12
29
55
13
30
3100
550
370
SOIC-8
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