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NTMS4800N: Power MOSFET, 30 V, 8.0 A, N-Channel

Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 8.0 A, N-Channel
Rev. 1 (136.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (2)
Product Overview
製品説明
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
特長
 
  • Low RDSon to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • SOIC8 Surface Mount Package Saves Board Space
  • This is a PbFree Device
アプリケーション
  • DCDC Converters
  • Printers
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (1)
シミュレーション・モデル (4)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMS4800NR2G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 30 V, 8.0 A, N-Channel SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2016-09-26 00:00) : <1K
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新製品
 

EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

  • 2.5 V drive and common drain suitable for 1-2 cell lithium-ion battery protection
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures