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NTMS4801N: Power MOSFET 30V 12A 9 mOhm Single N-Channel SO-8

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 12 A, N-Channel
Rev. 2 (135.0kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (1)
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • This is a PbFree Device
アプリケーション   最終製品
  • DCDC Converters
  • Synchronous MOSFET
 
  • Printers
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMS4801NR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 12A 9 mOhm Single N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.24
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Arrow   (Fri Dec 09 23:48:36 MST 2016) : 90
Chip1Stop   (2016-12-08) : >1K
Digikey   (2016-12-08) : >1K
Mouser   (2016-12-08) : >1K
PandS   (2016-12-08) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 12 A, N-Channel
Rev. 2 (135.0kB)
Product Overview
»信頼性データを表示する
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»製品変更通知 (1)

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 12A 9 mOhm Single N-Channel SO-8 
N-Channel
Single
30
20
2.5
12
2.1
 
12.5
9
12.2
25
4.4
 
1630
288
150
SOIC-8
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