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NTMS4873NF: Power MOSFET 30V 11.7A 12 mOhm Dual N-Channel SO-8 with Schottky Diode

Datasheet: 30 V, 11.7 A, N-Channel, SO-8
Rev. 1 (115.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (4)
Product Overview
製品説明
This 30 V N-Channel power MOSFET contains an integrated Schottky diode.
特長   利点
     
  • Low RDSon
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Losses
  • Includes SyncFET Schottky Diode
 
  • Increased Efficiency
  • Optimized Gate Charge
 
  • Minimize Switching Losses
  • SOIC-8 Surface Mount Package
 
  • Saves Board Space
  • This is a Pb-Free Device
 
  • Environmentally friendly
アプリケーション   最終製品
  • Synchronous FET for DC-DC Converters
  • Low Side Notebook Non-VCORE Converters
 
  • Notebook Computers
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (1)
シミュレーション・モデル (4)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMS4873NFR2G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 11.7A 12 mOhm Dual N-Channel SO-8 with Schottky Diode SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
PandS   (2016-06-27 00:00) : <1K
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