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NTMSD6N303: Power MOSFET 30V 6A 32 mOhm Dual N-Channel SO-8 FETKY

Datasheet: Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts N-Channel SO-8 FETKY
Rev. 3 (147.0kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (9)
Product Overview
製品説明
The FETKY product family incorporates low RDS(on) MOSFETs packaged with an industry leading, low forward drop, low leakage Schottky Barrier rectifier to offer high efficiency components in a space saving configuration. Independent pinouts for MOSFET and schottky die allow the flexibility to use a single component for switching and rectification functions in a wide variety of applications.
特長
 
  • Pb-Free Packages are Available
アプリケーション
  • Buck Converter, Buck-Boost, Synchronous Rectification, Low Voltage Motor Control, Battery Packs, Chargers, Cell Phones
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTMSD6N303R2G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 6A 32 mOhm Dual N-Channel SO-8 FETKY SOIC-8 751-07 3 Tape and Reel 2500  
NTMSD6N303R2 Obsolete
Power MOSFET 30V 6A 32 mOhm Dual N-Channel SO-8 FETKY SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
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新製品
 

EFC3C001NUZ  Power MOSFET, Dual N-Channel, 20 V, 6 A

  • 2.5 V drive and common drain suitable for 1-2 cell lithium-ion battery protection
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 30 mΩ on-state resistance reduces battery consumption

NVATS5A106PLZ  NVATS5A112PLZ  NVATS5A113PLZ  NVATS5A304PLZ  P-Ch Power MOSFETs for Automotive, -40 V to -60 V

  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures