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NTR4170N: Power MOSFET 30V 4A 55 mOhm Single N-Channel SOT-23

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: NTR4170N
Rev. 1 (98.0kB)
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Product Overview
製品説明
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
特長   利点
     
  • Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on)
 
  • System Efficiency Improvement
  • 0.6V Low Threshold Voltage
 
  • Low Voltage Logic Driven
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTR4170NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 4A 55 mOhm Single N-Channel SOT-23 SOT-23-3 318-08 1 Tape and Reel 3000 $0.0907
NTR4170NT3G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 4A 55 mOhm Single N-Channel SOT-23 SOT-23-3 318-08 1 Tape and Reel 10000  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Chip1Stop   (2016-07-28 00:00) : >1K
Digikey   (2016-07-28 00:00) : >10K
FutureElectronics   (2016-07-28 00:00) : >10K
Mouser   (2016-07-28 00:00) : >50K
PandS   (2016-07-28 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: NTR4170N
Rev. 1 (98.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET 30V 4A 55 mOhm Single N-Channel SOT-23 
N-Channel
Single
30
12
1.4
4
1.25
 
70
55
4.76
 
1.4
2.9
432
53.6
37.1
SOT-23-3
Datasheet: NTR4170N
Rev. 1 (98.0kB)
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Product Overview
Case Outline
318-08   
パッケージ
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新製品
 

EFC4C002NL  30 V Power MOSFET for 3-Cell Lithium-ion Battery Protection

  • Ultra Low On-Resistance of 2.6 mΩ for improved efficiency
  • Gate Charge of 45 nC enables fast startup
  • Small WLCSP package for space constrained designs

NVC3S5A51PLZ  Power MOSFET, -60 V, -1.8 A, P-Channel

  • Low on-resistance of 250 mΩ to minimize conduction losses
  • Small package to minimize the board space
  • High ESD protection with embedded protection diode