feedback
このページの評価をお願いします

サポート情報をお探しですか?


NTR4502P: Power MOSFET -30V -1.95A 200 mOhm Single P-Channel SOT-23

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET -30V, -1.95 A, Single, P-Channel SOT-23
Rev. 5 (136.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (5)
Product Overview
製品説明
This is a 30 V P-Channel Power MOSFET.
特長
 
  • Leading Planar technology for Low gate Charge/Fast Switching
  • Low RDS(on) for Low Conduction Losses
  • SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm)
  • Pb-Free Package may be available. The G-Suffix Denotes a Pb-Free Lead Finish
アプリケーション
  • DC to DC Conversion
  • Load/Power Switch for Portables and Computing
  • Motherboard, Notebook, Camcorder, Digital Camera, etc.
  • Battery Charging Circuits
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTR4502PT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -30V -1.95A 200 mOhm Single P-Channel SOT-23 SOT-23-3 318-08 1 Tape and Reel 3000 $0.1013
NTR4502PT3G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -30V -1.95A 200 mOhm Single P-Channel SOT-23 SOT-23-3 318-08 1 Tape and Reel 10000  
NTR4502PT1 Obsolete
Power MOSFET -30V -1.95A 200 mOhm Single P-Channel SOT-23 SOT-23-3 318-08 1 Tape and Reel 3000  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Arrow   (2016-06-27 18:53) : 5498
Avnet   (2016-06-27 00:00) : >10K
Chip1Stop   (2016-06-27 00:00) : >1K
Digikey   (2016-06-27 00:00) : >10K
FutureElectronics   (2016-06-27 00:00) : >50K
Mouser   (2016-06-27 00:00) : >1K
PandS   (2016-06-27 00:00) : >1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Arrow   (2016-06-27 18:53) : 8861
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET -30V, -1.95 A, Single, P-Channel SOT-23
Rev. 5 (136.0kB)
»信頼性データを表示する
»材料組成を表示
»製品変更通知 (5)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -30V -1.95A 200 mOhm Single P-Channel SOT-23 
P-Channel
Single
30
20
3
1.95
1.25
 
350
200
 
6
1.7
 
200
80
50
SOT-23-3
過去に閲覧した製品
一覧をクリアする

新製品
 

NVC3S5A51PLZ  Power MOSFET, -60 V, -1.8 A, P-Channel

  • Low on-resistance of 250 mΩ to minimize conduction losses
  • Small package to minimize the board space
  • High ESD protection with embedded protection diode

EFC4C002NL  30 V Power MOSFET for 3-Cell Lithium-ion Battery Protection

  • Ultra Low On-Resistance of 2.6 mΩ for improved efficiency
  • Gate Charge of 45 nC enables fast startup
  • Small WLCSP package for space constrained designs