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NTS2101P: Small Signal MOSFET -8V -1.4A 100 mOhm Single P-Channel SC-70

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Small Signal MOSFET -8 V, -1.4 A, Single P Channel SC-70
Rev. 1 (61.0kB)
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»製品変更通知 (9)
Product Overview
製品説明
This is an 8.0 V P-Channel Power MOSFET.
特長
 
  • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
  • -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
  • SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)
  • Pb-Free Package is Available
アプリケーション
  • High Side Load Switch
  • Charging Circuit
  • Single Cell Battery Application Applications such as Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, etc.
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTS2101PT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET -8V -1.4A 100 mOhm Single P-Channel SC-70 SC-70-3 / SOT-323-3 419-04 1 Tape and Reel 3000 $0.0816
NTS2101PT1 Obsolete
Small Signal MOSFET -8V -1.4A 100 mOhm Single P-Channel SC-70 SC-70-3 / SOT-323-3 419-04 1 Tape and Reel 3000  
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >100K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
PandS   (2015-07-09) : <1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Small Signal MOSFET -8 V, -1.4 A, Single P Channel SC-70
Rev. 1 (61.0kB)
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»製品変更通知 (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET -8V -1.4A 100 mOhm Single P-Channel SC-70   P-Channel   Single   8   8   0.7   1.4   0.29   140   100   210   6.4     1.5   9.5   640   120   82   SC-70-3 / SOT-323-3 
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