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NTTFS4C13N: Power MOSFET 30V 38A 9.4 mOhm Single N-Channel u8FL

Overview
Specifications
Datasheet: 30 V, 35 A, Single N−Channel, u8FL Power MOSFET
Rev. 1 (82kB)
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»製品変更通知 (2)
Product Overview
製品説明
Power MOSFET 30V 38A 9.4 mOhm Single N-Channel u8FL
特長
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
アプリケーション
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
  • Notebook Battery Management
技術資料 & デザイン・リソース
デザインおよび開発ツール (1) データシート (1)
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NTTFS4C13NTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 38A 9.4 mOhm Single N-Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.1973
NTTFS4C13NTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 38A 9.4 mOhm Single N-Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 5000 $0.1973
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: 30 V, 35 A, Single N−Channel, u8FL Power MOSFET
Rev. 1 (82kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 38A 9.4 mOhm Single N-Channel u8FL   N-Channel   Single   30   20   2.1   38   21.5     14   9.4   7.8   15.2   3.7   9.7   770   443   127   u8FL / WDFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 38A 9.4 mOhm Single N-Channel u8FL   N-Channel   Single   30   20   2.1   38   21.5     14   9.4   7.8   15.2   3.7   9.7   770   443   127   u8FL / WDFN-8 
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