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NVD5862N: Power MOSFET 60V, 98A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK.

Overview
Specifications
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Datasheet: Single N−Channel Power MOSFET, 60 V, 5.7 mOhm, 98 A
Rev. 2 (74kB)
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Product Overview
製品説明
Automotive Power MOSFET. 60V, 98A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特長   利点
     
  • Low on resistance
 
  • Provides low conduction losses
  • High current capability
 
  • Provides robust load performance
  • 100% Avalanche energy tested
 
  • Safeguards against voltage overstress
アプリケーション   最終製品
  • Auotmotive Motor Drivers
  • Automotive Low and High Side Drivers
 
  • Automotive HVAC systems
  • Automotive Braking systems
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NVD5862NT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V, 98A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.5359
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Single N−Channel Power MOSFET, 60 V, 5.7 mOhm, 98 A
Rev. 2 (74kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 60V, 98A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK.   N-Channel   Single   60   20   4   98   115       5.7     82   27   40   5050   500   300   DPAK-3 
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  • 低オン抵抗(6.9 mΩ)
  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
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NDBA180N10B  NDPL180N10B  100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(2.8 mΩ)
  • 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応