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NVD5863NL: Power MOSFET 60V, 82A, 7.1 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level.

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 60 V, 82 A, 7.1 mΩ, Single N-Channel
Rev. 1 (138.0kB)
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»製品変更通知 (2)
Product Overview
製品説明
Automotive Power MOSFET. 60V, 82A, 7.1 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特長   利点
     
  • Low on resistance
 
  • Minimizes conduction losses
  • High current capability
 
  • Provides robust load drive performance
  • ACE-Q101 qualified
 
  • Suitable for automotive applications
  • 100% avalanche energy tested
 
  • Safeguards against voltage overstress failures
  • Automotive solenoid driver
   
  • Automotive lamp driver
   
アプリケーション   最終製品
  • Automotive motor driver
 
  • Automotive Engine Control Units
  • Automotive Body Controllers
  • Automotive HVAC systems
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NVD5863NLT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V, 82A, 7.1 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.3274
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 60 V, 82 A, 7.1 mΩ, Single N-Channel
Rev. 1 (138.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 60V, 82A, 7.1 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level.   N-Channel   Single   60   20   3   82   96     9   7.1     70   19.4   31   3850   350   220   DPAK-3 
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