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NVD5890N: Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK.

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: NVD5890N Final Datasheet
Rev. 1 (111.0kB)
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Product Overview
製品説明
Automotive Power MOSFET. 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特長   利点
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimizes conduction losses
  • High current capability
 
  • Provides robust load driving performance
  • AEC-Q101 Qualified
 
  • Suitable for use in Automotive systems
  • 100% Avalanche engergy tested
 
  • Safeguards against voltage overstress failure
アプリケーション   最終製品
  • Motor Drivers
  • Automotive Pump Drivers
 
  • Automotive Braking systems
  • Automotive Steering systems
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NVD5890NT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK., Power MOSFET 40 V, 100 A, Single N−Channel DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.6399
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 13 to 16
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: NVD5890N Final Datasheet
Rev. 1 (111.0kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK., Power MOSFET 40 V, 100 A, Single N−Channel   N-Channel   Single   40   20   3.5   123   107       3.7     74   16   40   4975   785   490   DPAK-3 
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