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NVE4153N: Power MOSFET 20V, 915mA, 230mOhm, N-Channel with ESD Protection, Logic level.

Overview
Specifications
Datasheet: Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection SC-75 and SC-89
Rev. 7 (72kB)
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Product Overview
製品説明
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 20V 915mA 230mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD Protection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特長
 
  • Low RDS(on) Improving System Efficiency
  • Low Threshold Voltage
  • ESD Protected Gate
  • Pb-Free Packages are Available
  • AEC qualified
アプリケーション
  • Load/Power Switches
  • Power Supply Converter Circuits
  • Battery Management
  • Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NVE4153NT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V, 915mA, 230mOhm, N-Channel with ESD Protection, Logic level. SC-89-3 463C-02 1 Tape and Reel 3000 $0.1339
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection SC-75 and SC-89
Rev. 7 (72kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V, 915mA, 230mOhm, N-Channel with ESD Protection, Logic level.   N-Channel   Single   20   6   1.1   0.915   0.3   170   127     1.82     0.42     110   16   12   SC-89-3 
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