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NVJD5121N: Power MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level.

Overview
Specifications
Datasheet: NTJD5121N Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection
Rev. 8 (69kB)
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Product Overview
製品説明
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特長   利点
     
  • Pb-Free
 
  • RoHS Compliance
  • AEC qualified
 
  • Automotive qualified
  • Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on)
   
  • Reduced Qg and Capacitance
   
  • Low Leakage Current
   
  • Low Profile, 2x2 mm
   
最終製品
  • Infotainment systems. Radios. Navigation systems. Clusters
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (2) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NVJD5121NT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level. SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.045
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >100K
Datasheet: NTJD5121N Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection
Rev. 8 (69kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level.   N-Channel   Dual   60   20   2.5   0.295   0.25     2500   1600   0.9     0.28     26   4.4   2.5   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
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