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NVMFD5853N: Power MOSFET 40V, 53A, 10 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET 40 V, 10 mOhm, 53 A, Dual N−Channel SO-8FL
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Product Overview
製品説明
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特長   利点
     
  • Small Footprint (5x6 mm)
 
  • Reduced board space, smaller modules
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Losses
  • NVMFD5853NWF Wettable Flanks Product
 
  • Facilitates Automated Optical Inspection
  • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
 
  • Suitable for use in automotive applications
  • Standard Gate Level (VTH min. = 2 V)
 
  • Ensures turn off in noisy environments (motor control)
アプリケーション   最終製品
  • Motor Control
 
  • Engine control module
  • Body control module
  • Chassis control module
技術資料 & デザイン・リソース
アプリケーション ノート (1) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NVMFD5853NT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V, 53A, 10 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level. SO-8FL Dual / DFN-8 506BT 1 Tape and Reel 1500 $0.4738
NVMFD5853NWFT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V, 53A, 10 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level. SO-8FL Dual / DFN-8 506BT 1 Tape and Reel 1500 $0.4911
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Avnet   (2015-07-09) : >1K
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Avnet   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET 40 V, 10 mOhm, 53 A, Dual N−Channel SO-8FL
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V, 53A, 10 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.   N-Channel   Dual   40   20   4   53   37       10     24   6.6   9   1225   1250   100   SO-8FL Dual / DFN-8 
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V, 53A, 10 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.   N-Channel   Dual   40   20   4   53   37       10     24   6.6   9   1225   1250   100   SO-8FL Dual / DFN-8 
Datasheet: Power MOSFET 40 V, 10 mOhm, 53 A, Dual N−Channel SO-8FL
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Case Outline
506BT   
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