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NVMFS4C01N: Power MOSFET 30V, 319A, 0.9 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 1 (73kB)
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»No Product Change Notifications exist
Product Overview
製品説明
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特長
 
  • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
  • NVMFS4C01NWF − Wettable Flanks Product
  • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
アプリケーション   最終製品
  • Reverse battery protection
  • DC-DC converter output driver
 
  • HID and LED lighting
  • Infotainment Power Supplies
技術資料 & デザイン・リソース
シミュレーション・モデル (4) パッケージ図 (1)
データシート (1)  
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
NVMFS4C01NT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V, 319A, 0.9 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $1.0658
NVMFS4C01NT3G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V, 319A, 0.9 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $1.0658
NVMFS4C01NWFT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V, 319A, 0.9 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $1.1158
NVMFS4C01NWFT3G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V, 319A, 0.9 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $1.1158
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : <1K
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 1 (73kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V, 319A, 0.9 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.   N-Channel   Single   30   20   2.2   319   161     1.2   0.9   63   139   13   147   10144   5073   148   SO-8FL / DFN-5 
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V, 319A, 0.9 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.   N-Channel   Single   30   20   2.2   319   161     1.2   0.9   63   139   13   147   10144   5073   148   SO-8FL / DFN-5 
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V, 319A, 0.9 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.   N-Channel   Single   30   20   2.2   319   161     1.2   0.9   63   139   13   147   10144   5073   148   SO-8FL / DFN-5 
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V, 319A, 0.9 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.   N-Channel   Single   30   20   2.2   319   161     1.2   0.9   63   139   13   147   10144   5073   148   SO-8FL / DFN-5 
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 1 (73kB)
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Product Overview
Case Outline
488AA   
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 1 (73kB)
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NDBA100N10B  NDPL100N10B  100 V, 100 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(6.9 mΩ)
  • 低ゲート負荷(35 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応

NDBA180N10B  NDPL180N10B  100 V, 180 A , Nチャネル・パワーMOSFET

  • 低オン抵抗(2.8 mΩ)
  • 低ゲート負荷(95 nC) 及び高速スイッチング
  • D2PAK 及びTO-220のパッケージに対応