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SFT1452: N-Channel Power MOSFET, 250V, 3A, 2.4Ω, Single DPAK/IPAK

Overview
Specifications
Datasheet: N-Channel Power MOSFET, 250V, 3A, 2.4Ohm, Single DPAK/IPAK
Rev. 1 (1188kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (2)
Product Overview
製品説明
This N-Channel Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This devices is suitable for applications with low gate charge driving requirements.
特長   利点
     
  • High Speed Switching
 
  • Reduces dynamic power losses
  • Low Gate Charge
 
  • Ease of drive, faster turn-on
  • ESD Diode - Protected Gate
 
  • ESD resistance
  • Pb-free, Halogen-free and RoHS Compliance
 
  • Environment friendliness
アプリケーション
  • FAN Motor, SMPS, PFC, LED Lighting
技術資料 & デザイン・リソース
データシート (1) パッケージ図 (2)
供給状況 & サンプル
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL*
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
数量
SFT1452-H Active, Not Rec
Pb-free
Halide free
N-Channel Power MOSFET, 250V, 3A, 2.4Ω, Single DPAK/IPAK IPAK / TP 369AJ NA Bulk Bag 500  
SFT1452-TL-H Active, Not Rec
Pb-free
Halide free
N-Channel Power MOSFET, 250V, 3A, 2.4Ω, Single DPAK/IPAK DPAK / TP-FA 369AH 1 Tape and Reel 700  
SFT1452-TL-W Active
Pb-free
Halide free
N-Channel Power MOSFET, 250V, 3A, 2.4Ω, Single DPAK/IPAK DPAK / TP-FA 369AH 1 Tape and Reel 700 $0.2
SFT1452-W Active
Pb-free
Halide free
N-Channel Power MOSFET, 250V, 3A, 2.4Ω, Single DPAK/IPAK IPAK / TP 369AJ NA Bulk Bag 500 $0.2
面実装デバイスためのモイスチャー・レベル(260°Cリフローでの鉛フリー測定、235°Cリフローでの鉛フリー以外測定)
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
マーケットリードタイム(週) : 2 to 4
ON Semiconductor   (2016-08-24 00:00) : 44,800
マーケットリードタイム(週) : 4 to 8
Avnet   (2016-08-25 00:00) : >1K
ON Semiconductor   (2016-08-24 00:00) : 500
Datasheet: N-Channel Power MOSFET, 250V, 3A, 2.4Ohm, Single DPAK/IPAK
Rev. 1 (1188kB)
»材料組成を表示
»製品変更通知 (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
Pb-free
Halide free
 Active     N-Channel Power MOSFET, 250V, 3A, 2.4Ω, Single DPAK/IPAK 
N-Channel
Single
250
30
4.5
3
26
   
2400
 
4.2
   
210
20
7
DPAK / TP-FA
Pb-free
Halide free
 Active     N-Channel Power MOSFET, 250V, 3A, 2.4Ω, Single DPAK/IPAK 
N-Channel
Single
250
30
4.5
3
26
   
2400
 
4.2
   
210
20
7
IPAK / TP
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  • Low on-resistance as low as 6.5 mΩ
  • High current capability of -120 A
  • 100% avalanche tested to safeguard against overstress failures

NVC3S5A51PLZ  -60 V, -1.8 A, Pチャネル型パワーMOSFET

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  • 保護ダイオードによる高度なESD保護