IGBT & FET

IGBT - NチャネルMOSFET – PチャネルMOSFET

オン・セミコンダクタは、IGBT、JFET、Nチャネル、Pチャネル、コンプリメンタリMOSFET、および保護付きMOSFETを提供しています。

絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ (IGBT) (12)

パラメトリック表

イグニション・トランジスタ – 誘導コイル・ドライバ・トランジスタ

オン・セミコンダクタは、電子イグニション回路用の絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を提供しています。
技術情報
アプリケーション ノート (2) データシート (12)
シミュレーション・モデル (19) パッケージ図 (4)

JFETs (16)

パラメトリック表

NチャネルおよびP チャネル接合型FET

オン・セミコンダクタは、RF、ミキシング、およびチョッピング回路用の接合型電界効果トランジスタ(JFET)を提供しています。
技術情報
シミュレーション・モデル (41) パッケージ図 (2)
データシート (24)  

MOSFETs (446)

パラメトリック表

Nチャネル、Pチャネル、およびコンプリメンタリMOSFET

オン・セミコンダクタは、電力変換およびスイッチング回路用のNチャネルおよびPチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を提供しています。

技術情報
アプリケーション ノート (30) データシート (441)
シミュレーション・モデル (1339) パッケージ図 (45)

保護回路付きMOSFETs (26)

パラメトリック表

SMARTDISCRETES™

オン・セミコンダクタは、電流制限、温度制限、ESD保護、または電流ミラーを含む自己保護型MOSFETを提供しています。
技術情報
アプリケーション ノート (2) データシート (27)
シミュレーション・モデル (25) パッケージ図 (9)
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新製品
 

NTTFS5811NL  NTTFS5820NL  シングルNチャネル・パワーMOSFET

  • NTTFS5811NLは40 V、53 A、6.4 mΩで動作し、NTTFS5820NLは60 V、37 A、11.5 mΩで動作
  • DFN-8 FLパッケージにより3.3 x 3.3 mmの実装面積で優れた熱性能を提供
  • 導通、ドライバ、スイッチング損失低減のために最適化