IGBT、650 V、40 A フィールドストップ・トレンチ

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Overview

オン・セミコンダクターの新シリーズのフィールドストップ第 4 世代 IGBT は、新しいフィールドストップ IGBT 技術を用いて、消費者および産業用アプリケーションのコンバータ PFC ステージに適した性能を発揮します。

  • Consumer Appliances
  • PFC, Welder
  • Industrial application
  • Maximum junction temperature : TJ = 175°C
  • Positive temperaure co-efficient for easy parallel operating
  • High current capability
  • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V(Typ.) @ IC = 40A
  • High input impedance
  • 100% of the Parts tested for ILM
  • Fast switching
  • Tightened parameter distribution
  • RoHS compliant
  • IGBT with monolithic reverse conducting diode

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGAF40S65AQ

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3PF-3L

NA

0

TUBE

30

N

-

650

40

1.6

1.2

0.062

0.132

274

-

75

-

-

94

No

$1.4672

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