IGBT、650 V、60 A フィールド・ストップ・トレンチ

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オン・セミコンダクターの新シリーズのフィールドストップ第 4 世代 IGBT は、新しいフィールドストップ IGBT 技術を用いて、低い伝導損失およびスイッチング損失が必要不可欠なソーラー・インバータ、UPS、溶接機、テレコム、ESS および PFC のアプリケーションに最適な性能を発揮します。

  • Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC
  • Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
  • Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
  • High Current Capability
  • Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
  • 100% of the Parts Tested for ILM(1)
  • High Input Impedance
  • Fast Switching
  • Tighten Parameter Distribution
  • RoHS Compliant

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状態

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH60T65SQD-F155

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

Y

-

650

60

1.6

2.3

0.167

0.585

34.6

~NA~

79

-

-

333

-

$2.3279

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