MOSFETs | FDG6321C

デュアル N & P チャネル・デジタル FET 25V

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Overview

これらのデュアル N & P チャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラ・デジタル・トランジスタおよび Small Signal MOSFET の代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアス抵抗は必要ないため、このデュアルデジタル FET が、各種バイアス抵抗値のいくつもの異なるデジタルトランジスタに取って代わることができます。

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  • N-Ch 0.50 A、25 V、RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V、RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V。
  • P-Ch -0.41 A、-25 V、RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V、RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
  • 非常に小さなパッケージアウトラインSC70-6
  • 非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路 (VGS(th) <1.5 V) で直接動作が可能。
  • ゲート-ソースツェナー、ESD耐久性 (>6kV人体モデル)。

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDG6321C

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419B-02

1

260

REEL

3000

Y

±25

N: 450, P: 1100

Complementary

Dual

-8

±1.5

N: 0.5, P: -0.41

0.3

N:600, P:1500

N: 450, P: 1100

-

1.1

62

$0.1604

More Details

FDG6321C-F169

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419AD

1

260

REEL

3000

N

±25

-

Complementary

Dual

±8

±1.5

N: 0.5, P: -0.41

0.3

N:600, P:1500

N: 450, P: 1100

-

-

N: 50, P: 62

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