FDMS86150ET100

N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 100V、128A、4.85mΩ

Overview

この N チャネル MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだ高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗向けに最適化され、同様に優れたスイッチング性能を維持します。

アプリケーション

DC-DC商用パワーサプライ

特長

175°Cまでの拡張TJ定格
シールドゲートMOSFET技術
最大 r_DS(on)= 4.85 mΩ @ V_GS = 10 V、I_D= 16 A
最大 r_DS(on)= 7.8 mΩ @ V_GS = 6 V、I_D= 13 A
低r_DS(on) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
MSL1 堅牢なパッケージ設計
UIL 100%テスト済み
RoHS準拠

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86150ET100

Active

PQFN-8

483AG

260

REEL

3000

100

4.85

N-Channel

Single

±20

128

187

3055

$3.1626

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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