MOSFETs | SI4532DY

デュアルN&Pチャネル拡張モード電界効果トランジスタ

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Overview

これらのデュアルNチャネルおよびPチャネル拡張モードPower 電界効果トランジスタは、フェアチャイルド独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化しするように構成されており、優れたスイッチング性能を提供します。これらのデバイスは、ノートPCの電源管理、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なその他のバッテリー駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • Pチャンネル-3.5 A、-30V
  • Nチャンネル3.9 A、30V
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 超低RDS(ON)
    用の高密度セル設計
  • 表面実装パッケージのデュアル(N&Pチャンネル) MOSFET

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

SI4532DY

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

±30

0.19

Complementary

Dual

-20

±3

-3.5

2

-

0.19

-

5

N: 235, P: 420

$0.5029

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